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Letzte Aktualisierung: 11.06.2024
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Stelle Dir jetzt Deine eigene Solar-Anlage zusammen + erhalte in wenigen Minuten die besten Angebote aus Deiner Region!Siliziumzellen bestehen aus zwei unterschiedlich dicken Bereichen, die sich in ihrer Leitfähigkeit unterscheiden. Der eine ist n-leitend, der andere p-leitend. In marktüblichen Zellen besteht die untere dickere Schicht aus p-leitendem Silizium, die obere dünne Schicht aus n-leitendem Silizium.
Während die p-Type Zellen die Solarzellen-Branche viele Jahre dominierte, fokussierten sich die Bemühungen der großen Hersteller zuletzt immer öfter auch auf n-Typ-Solarzellen. Warum? Mit n-type können höhere Wirkungsgrade erzielt werden.
Hersteller / Modul | Anzahl Zellen | Zell-Typ | Technik* | Wirkungsgrad | Leistung |
---|---|---|---|---|---|
Sunpower SPR-MAX3-400 | n-Typ | Interdigitated back contact (IBC) | 22,60% | 400 Watt | |
LG NeoN R Ace | n-Typ | Multi-Busbar (MBB) | 22,00% | 380 Watt | |
REC Alpha Serie | 60 | n-Typ | HJT-SWCT | 21,70% | 380 Watt |
LG NeoN R | 60 | n-Typ | Interdigitated back contact (IBC) | 21,70% | 375 Watt |
LG NeoN R | 60 | n-Typ | Interdigitated back contact (IBC) | 21,40% | 370 Watt |
Jolywood JW-I60N | 60 | n-Typ | Interdigitated back contact (IBC) | 21,39% | 350 Watt |
CanadianSolar HiKu6 | n-Typ | Half Cell (HC) | 21,30% | 590 Watt | |
Trinasolar Vertex | n-Typ | 1/3 cut cells | 21,10% | 505 Watt | |
JASolar Deep Blue 3.0 | n-Typ | PERC MBB | 21,00% | 545 Watt | |
Jolywood JW-T60N | 60 | n-Typ | Passivated Contact MBB | 20,98% | 345 Watt |
Solaria PowerXT | 60 | n-Typ | PERC Shingled | 20,50% | 370 Watt |
* Half-Cut-Zellen (HC) bedeutet, dass die Module aus 120 kleineren statt 60 größeren Zellen bestehen. Multi-Busbar-Technologie (MBB) bedeutet, dass eine Solarzelle mit 12 oder 16 Busbars anstelle von 4, 5 oder 6 ausgestattet ist. Heterojunction-Technologie (HJT) kombinieren kristalline und Dünnschicht-Technologien, SmartWire Connection Technology (SWCT) ist eine exklusive patentierte Meyer Burger Technologie, um Solarzellen miteinander zu verbinden.
Lange Zeit wurden kaum n-Typ-Zellen produziert, da die Herstellung schwierig ist. Das Hauptproblem stellte die Behandlung der Oberseite dar.
Verfahren aus der Herstellung herkömmlicher Zellen, bei denen man zum Beispiel eine Antireflexschicht aus Siliziumnitrid erzeugt, funktionieren bei n-Typ-Zellen nicht. Seit Mitte der 2010er Jahre gehören n-Typ-Solarzellen zu den leistungsstärksten Zellen am Markt.
Die Rekordplätze für n-type resultieren vor allem durch höhere Trägerlebensdauer. N-Typ-Solarzellen sind durch ihre Phosphor-Dotierung weniger anfällig für den Bor-Sauerstoff-Defekt. Das führt dazu, dass sie "immun" gegen lichtinduzierte Degradation sind.
Zudem gibt es n-Typ Solarzellen weniger metallische Verunreinigungen des Siliziums. Die Änderung der Polarität führt zu einer deutlich höheren Minoritätsladungsträger-Lebensdauer (hier Löcher). Ganz einfach, weil der Einfangquerschnitt der meisten metallischen Verunreinigungen für Elektronen erheblich größer als für Löcher ist. Die effektive Diffusionslänge der Minoritätsladungsträger übersteigt bei entsprechender Oberflächenpassivierung die Zelldicke deutlich. Dadurch muss die Ladungstrennung durch den p/n-Übergang nicht mehr an der Vorderseite erfolgen.
Ist die Vorderseite nicht mehr für den P/N-Übergang nötig, ermöglicht das Hocheffizienz-Zellkonzepte wie z. B. vollständig rückseitig kontaktierte IBC-Solarzellen (Interdigitated Back Contact). Mit diesen können Wirkungsgrade bis zu 25,0 % erreicht werden – in Kombination mit einem Emitter aus amorphem Silizium sogar 25,6 %.
Grundsätzlich unterscheidet sich der Herstellungsprozess von Ingots nicht wesentlich zwischen p-Typ und n-Typ Solarzellen. Aufgrund ihrer höheren Verbreitung machen Skaleneffekte die p-Typ-Zellen günstiger als n-Typ-Solarzellen. Auch der Herstellungsprozess eines n type Moduls mit n-Typ-dotierten Zellen ist aufwändiger und damit teurer als ein p-Typ-PV-Modul.
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